微型阵列束闸设计与实验

作     者：张利新 孙博彤 刘星云 殷伯华 刘俊标 韩立 ZHANG Lixin;SUN Botong;LIU Xingyun;YIN Bohua;LIU Junbiao;HAN Li

作者机构：中国科学院电工研究所微纳加工技术与智能电气设备研究部北京100190 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049 

基　　金：国家自然科学青年基金资助项目(No.62101528) 中国科学院科研仪器设备研制项目(No.GJJ⁃STD20200003) 

出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期：2024年第32卷第13期

页      码：2061-2069页

摘      要：微型阵列束闸是多束电子束曝光系统的关键部件,用于控制多束电子束的开/关,实现复杂图形的快速曝光。对3×3微型阵列束闸进行了设计与制作,并进行了多束电子束偏转实验研究。对阵列束闸结构进行了优化设计,并基于MEMS加工工艺成功制备了阵列束闸。针对阵列束闸的控制要求,设计了可单独控制的阵列束闸控制器。将控制器与阵列束闸进行连接,验证了控制器的偏转速度与功能完整性。最后,在多束电子束测试平台对阵列束闸进行了偏转实验,研究串扰对电子束偏转的影响。实验结果表明:阵列束闸控制器的偏转速度达到43.5 MHz,大于设计值10 MHz;阵列束闸成功实现了单独控制电子束开和关,束闸的偏转距离在25~30μm之间,小于计算值43.29μm;串扰程度均小于3%。该阵列束闸已经具备多束电子束开/关控制功能,但在偏转精度,设计和加工工艺等方面还需进一步优化和完善。

主 题 词：电子束曝光 阵列束闸 多束电子束 串扰 偏转速度 

学科分类：08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.37188/OPE.20243213.2061

馆 藏 号：203132428...