用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计

作     者：蒋东铭 黄风义 陆静学 赵亮 JIANG Dong-ming;HUANG Feng-yi;LU Jing-xue;ZHAO Liang

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所 

基　　金：江苏省自然科学基金资助(BK2004066) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2007年第30卷第2期

页      码：380-383页

摘      要：通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μm CMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的电感测试数据进行参数提取,得到精准的电感模型并用于电路仿真.设计结果是整个电路功耗13mW,功率增益为14dBm,噪声系数为2.05dB,线性度指标IIP3为-1dBm.

主 题 词：低噪声放大器 CMOS工艺 噪声优化 电感模型 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.009

馆 藏 号：203133042...