SiCGe/3C-SiC异质结光控达林顿晶体管的设计与仿真(英文)

作     者：陈治明 任萍 蒲红斌 Chen Zhiming;Ren Ping;Pu Hongbin

作者机构：西安理工大学电子工程系西安710048 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60376011,60576044) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20040700001)资助项目~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第2期

页      码：254-257页

摘      要：针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的I-V特性,饱和压降大约为4V.

主 题 词：SiCGe SiC 异质结 达林顿晶体管 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.011

馆 藏 号：203133155...