大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管
作者机构：西安理工大学应用物理系西安710048 西安理工大学电子工程系西安710048
基 金：国家自然科学基金(批准号:50477012) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006) 陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助的课题.
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2007年第56卷第12期
页 码：7236-7241页
摘 要：为满足电力电子电路对功率开关二极管高频化的发展要求,提出了一种大功率低功耗快速软恢复p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管.与常规的Sip-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降减少了约1/5,有效降低了器件的通态功耗;反向恢复时间缩短了一半多,反向峰值电流降低了约25%,软度因子提高了1.3倍,而反向阻断电压和反向漏电流基本不发生变化.研究发现,Ge和C的含量是影响p+(SiGeC)-n--n+二极管特性的重要参数,这为器件结构设计提供了更大的自由度.
主 题 词：快速软恢复 大功率低功耗 SiGeC/Si异质结功率二极管
学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502]
核心收录：
D O I：10.7498/aps.56.7236
馆 藏 号：203133207...
