场效应管设计

作     者：郭晓丽 张宝才 马瑞芬 

作者机构：济南市半导体实验所 

出 版 物：《山东电子》 (Shandong Electronics)

年 卷 期：1998年第4期

页      码：28-29页

摘      要：本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。

主 题 词：场效应管 阈电压 输入阻抗 击穿电压 设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203133284...