纳米级SET/CMOS混合器件的研究进展

作     者：冯朝文 蔡理 张立森 Feng Chaowen;Cai Li;Zhang Lisen

作者机构：空军工程大学理学院西安710051 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AAJ225) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2010年第47卷第9期

页      码：525-531页

摘      要：SET/CMOS作为一种单电子晶体管与纳米级CMOS混合结构的新兴纳米电子器件,不仅实现两者优势互补,而且其突出的功能特性极大影响着电路微型化发展的道路。从SET/CMOS的串联和并联两种基本结构出发,阐述了各自的工作原理与特性、进而介绍了该混合器件目前在实验室制备、电路设计以及数值模拟研究方面的现状,最后讨论了器件在发展中尚需解决的问题及其应用前景。SET/CMOS的容错电路及互连结构新型设计将会加速实用化的进程,使集成电路产生质的飞跃,进而有望实现超高密度的信息存储和超高速信息处理,并将在未来智能计算机、通信设备和自动化方面发挥重要作用。

主 题 词：单电子晶体管 量子效应 库仑阻塞 负微分电阻 多值逻辑 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2010.09.001

馆 藏 号：203133321...