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结合PVT模拟和排队模型的系统级主存性能分析

结合PVT模拟和排队模型的系统级主存性能分析

作     者:林桦 佟冬 黄侃 王克义 程旭 Lin Hua;Tong Dong;Huang Kan;Wang Keyi;Cheng Xu

作者机构:中国电子技术标准化研究所集成电路测试验证实验室北京100007 北京大学计算机科学技术系北京100871 北京大学微处理器研究开发中心北京100871 

基  金:国家"八六三"高技术研究发展计划(2006AA010202) 

出 版 物:《计算机辅助设计与图形学学报》 (Journal of Computer-Aided Design & Computer Graphics)

年 卷 期:2010年第22卷第12期

页      码:2228-2236页

摘      要:由于主存系统的性能受到多种因素的影响,现有方法不能快速地得到可靠的分析结果,从而影响芯片质量和上市时机.为解决此问题,提出将带时序的程序员视图(PVT)模拟和排队论相结合的方法——ComPQ.首先从PVT模拟中提取与访存相关的系统级实时参数,然后将主存系统抽象为非抢占优先的M/G/1排队模型,再结合实时参数进行性能分析,得到平均访存延迟结果.由于PVT的建模和模拟代价小,从中得到的实时参数弥补了静态理论分析的不足;同时,排队论也提高了纯PVT模拟的精度.实验结果表明,ComPQ与周期精确级模拟相比平均误差为6.38%,最后用主存系统设计空间探索的实例验证了ComPQ的有效性.

主 题 词:系统级设计 主存系统 事务级建模 排队论 性能分析 

学科分类:08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录:

馆 藏 号:203133329...

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