3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制

作     者：王利杰 冯玢 洪颖 孟大磊 王香泉 严如岳 Wang Lijie;Feng Bin;Hong Ying;Meng Dalei;Wang Xiangquan;Yan Ruyue

作者机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第1期

页      码：8-10页

摘      要：报道了采用物理气相传输（PVT）法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展，成功研制得到固态微波器件急需的3英寸（75mm）半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术，进行了3英寸（75mm）4H—SiC晶体生长的热场设计，并在此基础上研制出适合3英寸（75mm）***生长的晶体生长设备，采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试，结果均为单一的4H晶型，采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法测得晶片电阻率为10^9-10^12ΩQ·cm。微管道缺陷（MPD）测量采用熔融KOH腐蚀法，测得平均微管道密度为104个／cm。，其中晶片的30％区域微管道缺陷小于10个／cm2使用x射线双晶衍射测试得到其半高宽（FWHM）为31arcsec，说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性。

主 题 词：3英寸(75 mm) 4H—SiC 电阻率 微管道缺陷 半高宽 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.003

馆 藏 号：203133332...