RF MEMS开关工艺技术研究

作     者：汪继芳 刘善喜 WANG Ji-fang;LIU Shan-xi

作者机构：华东光电集成器件研究所安徽蚌埠233042 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2010年第10卷第3期

页      码：27-31页

摘      要：RFMEMS开关是用MEMS技术形成的新型电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大影响。文章介绍了RFMEMS开关的基本工艺流程设计,工艺制作技术的研究。实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题,制作出了RFMEMS开关样品,基本掌握了RFMEMS器件的制作工艺技术。RFMEMS开关样品测试的技术指标为:膜桥高度2μm～3μm、驱动电压<30V、频率范围0～40GHz、插入损耗≤1dB、隔离度≥20dB,样品参数性能达到了设计要求。

主 题 词：种子层 聚酰亚胺 牺牲层 微电镀 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2010.03.007

馆 藏 号：203133333...