一种基于BCD工艺的850nm光接收芯片的研制

作     者：颜黄苹 程翔 李继芳 黄元庆 YAN Huang-ping;CHENG Xiang;LI Ji-fang;HUANG Yuan-qing

作者机构：厦门大学物理与机电工程学院福建厦门361005 

基　　金：厦门市科技计划项目(3502Z20063002) 

出 版 物：《厦门大学学报（自然科学版）》 (Journal of Xiamen University：Natural Science)

年 卷 期：2010年第49卷第5期

页      码：640-644页

摘      要：采用0.5μm BCD工艺研制了一种850 nm光接收芯片,包括光电探测器、跨阻前置放大器及后续处理电路.通过器件模拟设计并分析了基于BCD工艺的光电探测器的结构及其特性;设计光接收芯片的增益约为43.23 kΩ,上限截止频率为700 MHz.测试结果表明,探测器暗电流为pA量级,响应度为0.08 A/W.光接收芯片功耗约为100 mW,电噪声为4 nW;在输入313 Mbit/s非归零伪随机二进制序列调制的信号及无误码的情况下,灵敏度为-13.0 dB.m;该光接收芯片速率可达622 Mbit/s.

主 题 词：光接收芯片 BCD 探测器 前置放大器 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203133554...