AlGaN/GaN HEMT势垒层厚度影响的模拟及优化

作     者：申艳芬 林兆军 李惠军 张明华 魏晓珂 刘岩 Shen Yanfen;Lin Zhaojun;Li Huijun;Zhang Minghua;Wei Xiaohe;Liu Yan

作者机构：山东大学信息科学与工程学院 山东大学物理微电子学院济南250100 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10774090) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2011年第48卷第3期

页      码：150-154,193页

摘      要：完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作。使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性等性能的模拟。建立该器件的极化效应模型是本项研究的重点。完成了对异质结条件下诸多模型参数的筛选及修正,得到了符合理论的模拟结果。器件特性的验证与优化基于势垒层厚度h的变化展开,研究结果显示:漏极电流随h值的增加而增加,当h值超过40nm时,因二维电子气浓度上升缓慢而使漏极电流趋于饱和;跨导随h值的减小而增大,h每降低10nm,跨导约增大37mS/mm;势垒层厚度对高频特性的影响较小。

主 题 词：AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 二维电子气(2DEG) 极化效应 器件模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2011.03.003

馆 藏 号：203133735...