AlGaInP红、橙、黄光高亮度LED外延材料

作     者：关兴国 严振斌 刘惠生 路红喜 李志强 李艾功 

作者机构：河北汇能电力电子有限公司河北石家庄050051 

基　　金：国家863高技术新材料领域资助项目! (86 3- 715 - Z34- 0 3- 0 1) 

出 版 物：《半导体情报》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：2000年第37卷第6期

页      码：50-54页

摘      要：采用金属有机化合物汽相淀积技术生长用于高亮度发光管 (UB-L ED)的 Al Ga In P/Ga As半导体微结构材料 ,突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术 ,生长出满足于 Cd级的红、橙、黄光 L ED器件的外延材料。

主 题 词：MOCVD 外延材料 发光二极管 AlGaInP 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2000.06.011

馆 藏 号：203133957...