差分放大器中的不匹配效应及消除方法

作     者：朱小瑜 李津 ZHU Xiaoyu;LI Jin

作者机构：西安工程大学陕西西安710048 河南工程学院河南郑州450007 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2009年第32卷第16期

页      码：25-27,31页

摘      要：叙述模拟集成电路设计中关于MOS管不匹配特性的一些基本概念,以及随着加工尺寸的不断减小,MOS管所引起的一系列短沟道效应,进而描述整个MOS管模型的发展历史,以此说明一个精确模型对模拟电路设计的重要意义。然后进一步阐述因MOS管失配而引起电路性能变差,尤其是对整个D/A转换器性能的影响;进而采用改进技术,并对其进行了进一步验证。针对放大器引起的失调,介绍通过版图设计消除失配的原理,并且运用电路设计方法进行消除,采用TSMC0.25μm标准CMOS工艺参数对其进行仿真验证。针对D/A的电流源失配引起的电路性能变差,采用了电流源自校准技术,并对这种方法进行了仿真验证,取得了不错的成果。

主 题 词：不匹配 模型 MOS放大器 工艺参数 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2009.16.018

馆 藏 号：203134175...