PDP选址驱动芯片的设计与实现

作     者：吴建辉 孙伟锋 陆生礼 

作者机构：东南大学国家ASIC系统工程中心江苏南京210096 

基　　金：江苏省"十五"科技攻关资助项目(BG2000010-4) 

出 版 物：《应用科学学报》 (Journal of Applied Sciences)

年 卷 期：2003年第21卷第2期

页      码：187-192页

摘      要：设计出一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV-PMOS的厚栅氧刻蚀方法——多晶硅栅自对准刻蚀.文中最后对流水出的芯片进行了测试分析,证明所设计的芯片确实能满足实际要求。

主 题 词：PDP 等离子体平板显示 选址驱动芯片 HV—NDMOS结构 高压管设计 高压CMOS 高压NDMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0255-8297.2003.02.017

馆 藏 号：203134219...