400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究

作     者：宫辉 李金 杨世明 邵贝贝 龚光华 李裕熊 谢小希 GONG Hui;LI Jin;YANG Shi-Ming;SHAO Bei-Bei;GONG Guang-Hua;LI Yu-Xiong;XIE Xiao-Xi

作者机构：清华大学工程物理系北京100084 中国科学院高能物理研究所北京100049 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 

出 版 物：《高能物理与核物理》 (High Energy Physics and Nuclear Physics)

年 卷 期：2007年第31卷第3期

页      码：283-287页

摘      要：RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量．探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握．本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道间的一致性、测量累积剂量时的辐照强度相关性以及退火特性等,同时也讨论了测量数据的拟合方法,为该类型RADFET剂量计在RADFET多通道探测器的设计、建造和其他方面的应用提供了实验基础．

主 题 词：BESⅢ RADFET剂量计 累积剂量测量 辐照强度相关性 退火 

学科分类：07[理学] 070202[070202] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0254-3052.2007.03.012

馆 藏 号：203134718...