低静态电流CMOS电压基准源设计

作     者：李先锐 李玉山 来新泉 LI Xian-rui;LI Yu-shan;LAI Xin-quan

作者机构：西安电子科技大学电路设计研究所西安710071 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2007年第30卷第3期

页      码：852-854页

摘      要：为了实现低功耗,尤其是低的静态功耗,在传统的带隙基准基础上设计的低静态电流CMOS基准源,是利用CMOS晶体管工作在弱反型区饱和漏电流随电压呈指数关系的原理实现的.在保证低温度系数18.9×10-6℃和高精度的同时,实现了低的静态电流.仿真的结果显示其输出基准电压是1.109V,工作电压3V时,消耗功耗为1.2μW.

主 题 词：集成电路 电压基准 亚阈值 低功耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.032

馆 藏 号：203134726...