4°偏轴SiC衬底外延工艺研究

作     者：李赟 尹志军 朱志明 赵志飞 陆东赛 LI Yun;YIN Zhijun;ZHU Zhiming;ZHAO Zhifei;LU Dongsai

作者机构：南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2013年第33卷第1期

页      码：68-71页

摘      要：4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600～1 700V SBD器件的研制。

主 题 词：同质外延 衬底偏角 台阶形貌 肖特基二极管 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2013.01.014

馆 藏 号：203134972...