无压烧结氮化硅陶瓷的研究

作     者：孙英南 周盛年 王林山 

作者机构：东北大学理学院 

出 版 物：《陶瓷工程》 (Ceramics Engineering)

年 卷 期：1994年第27卷第6期

页      码：19-25页

摘      要：本文选用ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３作为复合添加剂，采用无压烧结，设计Ｓｉ３Ｎ４一ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３系烧结体、Ｓｉ３Ｎ４—ＳｉＣ—ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３系烧结体，研究各种配方在不同成型压力不同烧结条件下烧结体的性能，测定室温抗折强度、体积密度、体积变化和气孔率。通过Ｘ射线衍射分析鉴定烧结体的物相结构，从而确定了最佳工艺范围。

主 题 词：陶瓷 无压烧结 烧成 氮化硅陶瓷 

学科分类：080706[080706] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 

D　O　I：10.13212/j.cnki.csa.1994.06.005

馆 藏 号：203135031...