LDMOS热载流子注入效应安全工作区的研究

作     者：马书嫏 王少荣 张爱军 MA Shu-lang;WANG Shao-rong;ZHANG Ai-jun

作者机构：华润上华科技有限公司江苏无锡214061 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2013年第47卷第12期

页      码：11-12,18页

摘      要：安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数。传统CMOS在衬底电流-栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值,该峰值可直接反映出热载流子注入(HCI)效应最强的位置,因此可以容易地给出其SOA;而对于横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,由于Kirk效应的发生,造成其衬底电流峰值不明显,此时的衬底电流已经不能再完全反映HCI效应的强弱,单纯使用Hu模式或衬底电流模式对SOA测试和分析都不合适。针对发生严重Kirk效应的LDMOS,此处提出一套更合理的HCI SOA测试方法,该方法既能节省测试时间,同时准确性又高。

主 题 词：晶体管 安全工作区 热载流子注入 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-100X.2013.12.005

馆 藏 号：203135062...