823×592元内线转移CCD图像传感器

作     者：杨洪 雷仁方 郑渝 吕玉冰 翁雪涛 YANG Hong;LEI Renfang;ZHENG Yu;LV Yubing;WENG Xuetao

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2015年第36卷第6期

页      码：905-908页

摘      要：采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可达30MHz,峰值响应波长位于550nm,动态范围62.6dB。

主 题 词：内线转移CCD 光电特性 纵向抗晕 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2015.06.011

馆 藏 号：203135108...