超薄荫罩式PDP放电单元玻璃基板形变分析

作     者：杨欣 屠彦 YANG Xin;TU Yan

作者机构：东南大学电子科学与工程学院南京210096 

基　　金：国家自然科学基金课题资助(60871015) 高等学校学科创新引智计划(111计划)资助项目(B07027) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2009年第32卷第2期

页      码：249-253页

摘      要：超薄荫罩式PDP是在传统的荫罩式PDP结构的基础上提出的一种新型结构。它采用超薄玻璃作为前、后玻璃基板代替原来的玻璃基板,使重量减轻、厚度减薄,并且以超薄玻璃本身充当介质层,使得结构更加简单。用ANSYS软件模拟超薄玻璃作为前后玻璃基板及介质层,其形变受玻璃厚度、放电单元开口面积、玻璃的材料等因素的影响情况,研究结果为超薄荫罩式PDP的设计提供理论依据。

主 题 词：超薄荫罩式PDP ANSYS 玻璃基板形变 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.004

馆 藏 号：203135532...