温度对Si-MCP电化学腐蚀过程中空穴输运的影响

作     者：刘昕男 端木庆铎 王国政 孙洪涛 Liu Xinnan;Duanmu Qingduo;Wang Guozheng;Sun Hongtao

作者机构：长春理工大学理学院吉林长春130022 

基　　金：国家自然科学基金(61107027 61077024) 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2015年第44卷第9期

页      码：2774-2777页

摘      要：在电化学腐蚀硅微通道这一工艺过程中,温度是其中一个很重要的影响因素。通过研究温度对电化学腐蚀硅微通道过程中空穴输运的影响,加深对电化学腐蚀硅微通道这一过程的认识。利用电化学光照辅助阳极氧化法以n型(100)晶向单晶硅为研究对象,设计实验,得到硅微通道阵列在不同温度条件下的I-V特性扫描曲线、孔道的形貌以及孔道的深度;根据晶体中的散射机制的相关原理,研究了温度与载流子迁移率和扩散系数之间的关系;根据实验,得到了暗电流与温度的关系。最后通过对上述实验结果的分析,得出温度越低由空穴输运产生的空穴电流密度就越低,同时暗电流的值也越低,在较低温度下通过电化学腐蚀法制备的硅微通道结构形貌较好。

主 题 词：硅微通道 电化学腐蚀 空穴输运 迁移率 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-2276.2015.09.040

馆 藏 号：203135947...