MOSFET在四极管控栅驱动电源中的应用

作     者：丁同海 DING Tong-hai

作者机构：中国科学院等离子体物理研究所安徽合肥230031 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2007年第41卷第6期

页      码：29-31页

摘      要：介绍了一种MOSFET的新用法。利用MOSFET截止区的漏电流ID随控制栅极电压UGS成指数关系的特性,将其串联在直流电源和四极管控制栅负载之间,通过UGS的变化来反馈控制MOSFET漏电流的大小,从而改变其负载与四极管控制栅电压的大小,最终实现四极管稳压调节输出恒定的高压给托卡马克加热用的NBI或ECH负载。驱动电源的单独调试和带动实际四极管负载的实验均表明,该设计稳定、可靠,构思巧妙,对托卡马克ECH和NBI加热所需的高压电源设计、研制具有很好的应用前景,同时也扩展了MOSFET的应用领域。

主 题 词：高压电源/金属-氧化物-半导体场效应晶体管 四极管 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 081001[081001] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-100X.2007.06.012

馆 藏 号：203136266...