高温薄膜SOIMOS器件硅膜厚度的设计考虑

作     者：冯耀兰 

作者机构：东南大学微电子中心 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：1997年第20卷第4期

页      码：21-24页

摘      要：根据薄膜ＳＯＩＭＯＳ器件的特点和高温应用的特殊考虑，采用计算机模拟技术，得出最大耗尽层宽度ｘｄｍａｘ和衬底掺杂浓度ＮＢ及温度Ｔ的关系曲线。研究结果表明，在常温下ｘｄｍａｘ随ＮＢ的增大而减小，当ＮＢ一定时，ｘｄｍａｘ随温度的升高而减小。因此，为满足薄膜器件的硅膜厚度ｄＳｉ小于ｘｄｍａｘ的条件及高温应用的特殊要求。

主 题 词：高温薄膜 SOI MOS 硅膜 薄膜电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203136305...