分子束外延装置

作     者：相崎尚昭 吴明华 

出 版 物：《微细加工技术》 (Microfabrication Technology)

年 卷 期：1990年第1期

页      码：56-62页

摘      要：如果支撑LSI的高集成化及高速化的微细化技术更进一步地发展,使设计尺寸达到1μm以下,那么不仅是横方面的微细化而且有源领域的纵方向的微细化即薄膜化和浅结形成也就变得重要了。特别有吸引力的是超高速器件的杂质剖面可任意设计。这时候,为了避免已经形成的结尺寸和杂质剖面发生大的变化,其必要条件是工艺温度要相当低。

主 题 词：分子束外延 MBE装置 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203136422...