用于MEMS器件的高性能运算放大器的IC设计与测试

作     者：程未 冯勇建 杨涵 

作者机构：厦门大学萨本栋微机电研究中心福建厦门361005 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2003年第26卷第4期

页      码：49-52页

摘      要：根据特定电容式微传感器后续处理电路的高性能要求,设计一个运算放大器芯片。设计中采用了美国MOSIS公司提供的n阱0.35μm cmos工艺的SPICE BSIM3 mos管模型,手算估计芯片的参数,然后采用了两种能系统反映芯片特性的测量电路对设计进行了性能测量,并根据测试结果对设计做出相应调整。从最终测试结果来看,设计的运算放大器具有很好的静态和动态性能。

主 题 词：MEMS器件 运算放大器 测试电路 微机电系统 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-373X.2003.04.019

馆 藏 号：203136680...