SOI光波导和集成波导光开关矩阵

作     者：陈少武 余金中 刘敬伟 王章涛 夏金松 樊中朝 Chen Shaowu;Yu Jinzhong;Liu Jingwei;Wang Zhangtao;Xia Jinsong;Fan Zhongchao

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312060)及国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000366)资助项目 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2005年第26卷第Z1期

页      码：212-215页

摘      要：报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI(multimode interference)集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关,开关转换速度达到了5～8μs,驱动功耗仅为140mW,是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的.在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵,并实现了光信号在不同信道间的转换.

主 题 词：光波导 SOI材料 单模条件 光开关/光开关矩阵 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.055

馆 藏 号：203137659...