应用d电子合金设计理论优化GH907合金组织及持久性能

作     者：刘瑛 邓波 陈淦生 仲增墉 

作者机构：冶金工业部钢铁研究总院 

出 版 物：《材料工程》 (Journal of Materials Engineering)

年 卷 期：1997年第25卷第7期

页      码：23-25,29页

摘      要：硅对 GH 90 7合金基体γ及γ′稳定性产生显著影响。Si含量高于 0 .45 at% ,合金中析出颗粒状laves相 ,且随 Si含量增加 ,ε,L aves等第二相数量增多。适宜的第二相体积分数及分布有益于持久性能。应用 d-电子合金设计理论 (即新相分计算法 New PHACOMP)对该合金第二相析出倾向进行综合评价 ,得出随 Si含量增加 ,TCP相的析出倾向增强 ,合金适宜的 Mdγ范围为 Mdγ:0 .85 8～ 0 .86 7或 Mdγ′:1.112～1.132。

主 题 词：高温合金 d电子合金设计 持久强度 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

馆 藏 号：203137844...