金属催化辅助无转移石墨烯薄膜制备技术研究进展

作     者：黄勇 郭冲霄 倪佳苗 刘悦 范同祥 HUANG Yong;GUO Chongxiao;NI Jiamiao;LIU Yue;FAN Tongxiang

作者机构：上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海200240 

基　　金：国家自然科学基金(52171144) 

出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期：2024年第38卷第15期

页      码：184-198页

摘      要：作为一种原子级别厚度的二维碳材料,石墨烯已经被证明具有优异的电学、光学、热学等综合物化性能。但是如何制备高质量、大面积晶圆级别的石墨烯薄膜仍然是激发人们进行科学研究以及器件集成领域的一大热点问题。传统过渡金属催化合成石墨烯薄膜的化学气相沉积工艺往往需要复杂费时的后处理转移工序,会对石墨烯薄膜本征性能造成巨大破坏,因此研究如何在介电基底上直接制备高质量大面积的石墨烯薄膜具有重大意义。基于此目的而兴起的无转移石墨烯薄膜制备研究已经取得了显著的科学成就,其中金属催化辅助合成无转移石墨烯薄膜的研究尤其引人注目,并且基于原位合成石墨烯薄膜性能测试及器件验证均取得了不错的效果。尽管如此,由于催化剂种类、形态以及结构设计等因素的不同,针对金属催化剂在无转移石墨烯薄膜合成过程中的工艺策略,不同的研究有不同的设计。本文基于无转移石墨烯薄膜制备的最新研究结果,对金属在催化转化获得无转移石墨烯过程中的作用机理和设计策略进行了系统全面的分析,对促进高质量晶圆级石墨烯薄膜的合成及在电子、光电子等功能器件领域的应用具有重要的指导意义。

主 题 词：石墨烯薄膜 无转移制备技术 金属催化剂 介电基底 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

核心收录：

D　O　I：10.11896/cldb.23050126

馆 藏 号：203137844...