拓展临近效应由纳米连接制备亚20nm金属Nanogaps(英文)

作     者：孙艳 陈鑫 戴宁 Sun Yan;Chen Xin;Dai Ning

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083 

基　　金：the National Natural Science Foundation of China(No.20704042) the Shanghai Pujiang Talent Plan(No.07PJ14095) the CAS Knowledge Innovation Program the Committee of Science and Technology of Shanghai(Nos.06XD14020,07JC14058,0752nm016)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2008年第29卷第9期

页      码：1666-1669页

摘      要：描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法.结合图形转移过程(如去胶等),利用临近效应灵活有效地制备了金属(如Au或者Ag等)Nanogap结构及其阵列.采用GDSII软件设计图形,以电子束光刻为手段制备Nanogap的原始纳米连接图形,然后通过去胶过程获得金属的Nanogap.另外,通过控制电子束光刻的剂量,能够把Nanogap的尺寸降低到约10nm.

主 题 词：金属nanogap 纳米构筑技术 临近效应 电子束光刻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.005

馆 藏 号：203137845...