GaN驱动芯片的增强型抗干扰欠压保护电路

作     者：杨潇雨 杨曼琳 吴昊 王妍 汪紫薇 蒲阳 YANG Xiaoyu;YANG Manlin;WU Hao;WANG Yan;WANG Ziwei;PU Yang

作者机构：集成电路与微系统全国重点实验室重庆400060 

基　　金：重庆市自然科学基金面上项目(CSTB2023NSCQ-MSX0173) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2024年第54卷第3期

页      码：432-436页

摘      要：针对汽车电子高性能GaN驱动芯片需求,为解决GaN器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大电路回差电压,极大提高了电路的抗干扰能力。电源上电至预设电压后,系统解除保护锁定,GaN器件通路开启,电源驱动后级GaN器件栅极,实现GaN器件欠压保护功能,提高稳定性。采用0.18μm BCD工艺进行设计。仿真结果表明,电源上电至8.5 V时,电路解除欠压保护功能,带隙基准电路输出1.5×10^(-5)/℃高精度5 V电压至GaN驱动电路栅端。电源下电至8 V时,电路启动欠压保护功能,芯片系统关断,实现GaN器件保护功能。回差电压为0.5 V,静态电流为60μA。该欠压保护电路满足低温度系数、低功耗、高回差电压等要求。

主 题 词：GaN驱动电路 欠压保护电路 低压误开 双重比较 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.230306

馆 藏 号：203137853...