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一种支持SoC数字电路老化及寿命的评估方法

一种支持SoC数字电路老化及寿命的评估方法

作     者:陈朝晖 张弛 刘玮 宋玉祥 刘潇骁 唐诗怡 CHEN Zhaohui;ZHANG Chi;LIU Wei;SONG Yuxiang;LIU Xiaoxiao;TANG Shiyi

作者机构:中国南方电网电力调度控制中心广州510530 广东电网电力调度控制中心广州510285 飞腾(长沙)信息技术有限公司长沙410000 

基  金:南方电网公司重点科技项目(ZDKJXM20200056) 

出 版 物:《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期:2024年第54卷第3期

页      码:511-516页

摘      要:使用Spice可靠性仿真技术和高温稳态寿命(HTOL)实验相结合的方法,研究不同的MOSFET器件组成的环振电路在持续翻转状态下,不同应力时间和应力电压对其寿命退化的影响。依据仿真结果和Power-Law模型建立数字电路的寿命预测理论模型。通过HTOL实验验证模型的准确性。结果表明,随着时间的增加,器件的寿命退化率逐渐增加,且随着时间的推移,寿命的变化率越来越小。随着应力电压的增加,器件的寿命退化率更快趋向于稳定。器件退化符合R-D模型,仿真结果与试验结果高度,进一步证实了本模型对SoC数字电路寿命预测的准确性。通过这种组合仿真和实验的方法,可以更加准确地评估数字电路的寿命,为芯片制造过程中的可靠性设计提供参考。

主 题 词:SoC数字电路 环振电路 Spice仿真 Power-Law模型 R-D模型 高温稳态寿命 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.13911/j.cnki.1004-3365.230355

馆 藏 号:203137855...

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