一种具有反压保护功能的高性能LDO设计

作     者：王建涛 曲鹏达 黄山松 蒋佳润 孟逸飞 赵越 肖知明 WANG Jiantao;QU Pengda;HUANG Shansong;JIANG Jiarun;MENG Yifei;ZHAO Yue;XIAO Zhiming

作者机构：南开大学电子信息与光学工程学院天津300350 

基　　金：国家电网有限公司总部科技项目(5700-202155257A-0-0-00) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2024年第54卷第3期

页      码：411-416页

摘      要：针对LDO在反向电压状态下存在反灌电流现象并会对芯片造成损坏的问题,传统方案一般采用二极管进行反向保护,但这种方法会显著增大LDO的最小压差。文章采用MOS管替换二极管的方式来构成反向电压保护结构,并优化误差放大器和功率管尺寸,设计出的LDO最小压差在500 mA满负载下达到251 mV。然而加入防反向MOS管会使功率管的栅极驱动电容负载增大,给环路的稳定度带来难题。针对该问题,文章使用零极点抵消技术,通过引入零点的方式解决了LDO环路稳定困难的问题。电路基于TSMC 0.18μm BCD工艺设计,测试结果与仿真结果相符。结果表明,在2.5~20 V的输入电压范围内,负载电流为0~500 mA时,电路的输出电压为1.2 V,精度在±1%以内;负载调整率和线性调整率分别为0.85μV/mA和11.65μV/V;PSRR为93.4 dB@100 Hz。

主 题 词：反压保护 最小压差 环路稳定性 低压差线性稳压器 

学科分类：080903[080903] 080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.230372

馆 藏 号：203137855...