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一种基于CMOS的宽带抗阻塞射频接收机设计

一种基于CMOS的宽带抗阻塞射频接收机设计

作     者:杨静致 翁振豪 高志强 王琮 YANG Jingzhi;WENG Zhenhao;GAO Zhiqiang;WANG Cong

作者机构:哈尔滨工业大学航天学院黑龙江哈尔滨150001 哈尔滨工业大学电子与信息工程学院黑龙江哈尔滨150001 

基  金:国家自然科学基金资助项目(NSFC20220286) 

出 版 物:《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期:2024年第22卷第8期

页      码:878-887页

摘      要:针对在多频段、多模式无线通信应用中传统射频接收机频段单一、集成度低的问题,基于N通道滤波技术与接收机集成化技术,提出一种基于互补金属氧化物半导体(CMOS)的宽带抗阻塞射频接收机。该接收机集成N通道混频器与基带滤波器,在65 nm CMOS工艺下进行版图测试。仿真实验结果表明,该接收机在5 MHz的基带带宽外提供超过60 dB的带外阻塞抑制,频率调谐范围0.25~2.5 GHz;前置内嵌巴伦的低噪声放大器,使接收机转换增益达到46 dB,同时降低整体噪声系数至3.1~4 dB;实现了24.5 dBm的带外三阶交调截取点(IIP3),功耗为26 mW。

主 题 词:射频接收机N通道滤波器 低噪声放大器 混频器 抗阻塞 

学科分类:0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D O I:10.11805/TKYDA2023013

馆 藏 号:203137856...

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