三种AMR磁头性能比较

作     者：邓俊彦 邓沛然 DENG Jun-yan;Deng Pei-ran

作者机构：东莞理工学院城市学院实验中心广东东莞523106 上海工程技术大学材料工程学院上海201620 

出 版 物：《磁性材料及器件》 (Journal of Magnetic Materials and Devices)

年 卷 期：2010年第41卷第1期

页      码：65-68页

摘      要：各向异性磁电阻磁头(AMR)用于服务器磁带机上的数据储存,并不断推出更高性能的产品。本文分析与比较了Tandberg公司的三种各向异性磁电阻磁头(SLR7、SLR100、LTO2)的设计参数,详细地研究了磁头的关键功能测试参数,如读错误率(Read Error Rate)和Viterbi Distance(VD),从而对影响磁头性能的设计参数有了详细的了解。磁电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度,对各向异性磁电阻磁头性能起着关键作用,直接影响磁头储存数据的能力。

主 题 词：各向异性磁电阻磁头 设计参数 性能 比较 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-3830.2010.01.016

馆 藏 号：203137910...