基于GaN HEMT的80GHz~140GHz超宽带功率放大器

作     者：刘仁福 王维波 陶洪琪 郭方金 骆晨杰 商德春 张亦斌 吴少兵 LIU Renfu;WANG Weibo;TAO Hongqi;GUO Fangjin;LUO Chenjie;SHANG Dechun;ZHANG Yibin;WU Shaobing

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《空间电子技术》 (Space Electronic Technology)

年 卷 期：2024年第21卷第4期

页      码：99-104页

摘      要：为满足毫米波通信等应用领域对超宽带功率放大器的需求,文章采用南京电子器件研究所50 nm GaN HEMT工艺研制了一款覆盖W、F波段的超宽带功率放大器。首先,使用模型对实验数据进行拟合外推,得到宽带范围内管芯的功率阻抗;其次,采用LC结构加高低阻抗微带线方式进行宽带电路匹配,并设计了末级、级间和输入级的匹配电路拓扑结构;最后,对级间匹配电路进行综合优化调整,并采用兰格桥进行功率合成。最终,放大器在80GHz~140GHz范围内,典型线性增益达18dB,饱和输出功率达100mW,同时,在全频段范围内,芯片具有±1dB的功率平坦度和良好的回波损耗,在太赫兹领域具有广阔的应用前景。

主 题 词：氮化镓 超宽带 功率放大器 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0825[工学-环境科学与工程类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-7135.2024.04.015

馆 藏 号：203137953...