宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计

作     者：冯耀兰 魏同立 张海鹏 宋安飞 罗岚 

作者机构：东南大学微电子中心南京210096 

基　　金：国家自然科学基金资助重点项目 (批准号 :6973 60 2 0 ) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2001年第21卷第3期

页      码：258-264页

摘      要：在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。

主 题 词：集成电路 体硅 宽温区 互补金属-氧化物-半导体倒相器 优化设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2001.03.004

馆 藏 号：203138117...