Design, Fabrication, and Measurement of Two Silicon-Based Ultraviolet and Blue-Extended Photodiodes

作     者：Changping CHEN Han WANG Zhenyu JIANG Xiangliang JIN Jun LUO 

作者机构：Faculty of Materials Optoelectronics and Physics Xiangtan University Xiangtan 411105 China Hunan Engineering Laboratory for Microeleetronics Optoelectronics and System on A Chip Xiangtan 411105 China The forty-eighth Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation Changsha 410111 China Department of Precision Mechanical Engineering Shanghai University ShanghaL 200444 China 

基　　金：This work is supported by the State Key Program of National Natural Science of China (61233010)  by the National Natural Science Foundation of China (61274043) and by the Program for New Century Excellent Talents in University of Ministry of Education of China (NCET- 11-0975). Open Access This article is distributed under the terms of the Creative Commons Attribution License which permits any use  distribution  and reproduction in any medium  provided the original author(s) and source are credited 

出 版 物：《Photonic Sensors》 (光子传感器（英文版）)

年 卷 期：2014年第4卷第4期

页      码：373-378页

摘      要：二基于硅紫外(紫外) 并且扩大蓝色的光电二极管被介绍，它为轻察觉被制作在紫外 / 蓝光谱范围。塑造条纹、八边形圆形的结构被设计验证 UV-responsivity 的参数，紫外选择，故障电压，和反应时间。极端浅的侧面的 pn 连接成功地在标准 0.5-m 被认识到扩大 pn 连接区域，提高紫外光的吸收，并且改进 responsivity 和量效率的互补金属氧化物半导体(互补金属氧化物半导体) 过程。说明的测试结果塑造条纹的结构有更低的故障电压，更高的 UV-responsicity，并且更高紫外选择。但是八边形圆形的结构有更低的黑暗电流。两结构的反应时间是几乎一样。

主 题 词：光电二极管 紫外线 设计 制造 互补金属氧化物半导体 环状结构 蓝光 硅基 

学科分类：081702[081702] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.1007/s13320-014-0199-7

馆 藏 号：203138138...