X波段高性能低噪声放大器的设计与实现

作     者：许准 周蓓 马志强 葛俊祥 XU Zhun;ZHOU Bei;MA Zhiqiang;GE Junxiang

作者机构：南京信息工程大学江苏省气象传感网技术工程中心江苏南京210044 

基　　金：南京市"321"领军人才资助项目(No.20110112) 江苏省"六大人才高峰"资助项目(No.201201-12) 江苏省科技型企业技术创新基金资助项目(No.BC2013031) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2014年第33卷第11期

页      码：73-76,80页

摘      要：设计并实现了一种适用于X波段（11-12 GHz）的高性能低噪声放大器（LNA）,该低噪声放大器选用Ga As FET（MGF4941AL）低噪声半导体管,采用三级级联的方式设计,三级通过采用不同静态工作点之间的配合,达到降低放大器噪声提高增益的目的。利用微波电路仿真软件ADS仿真优化后加工实物并测试。测试结果表明,低噪声放大器在11-12 GHz工作频带内的噪声系数小于2dB,输入/输出驻波比（VSWR）小于2,功率增益大于30 d B,增益平坦度小于1.5 d B,适用于X波段接收机前端。

主 题 词：X波段 低噪声放大器 三级级联 噪声系数 VSWR 增益 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.11.018

馆 藏 号：203138141...