压控型脉冲功率半导体器件技术及应用

作     者：孙瑞泽 陈万军 刘超 刘红华 姚洪梅 张波 Sun Ruize;Chen Wanjun;Liu Chao;Liu Honghua;Yao Hongmei;Zhang Bo

作者机构：电子科技大学集成电路科学与工程学院成都611731 湖北三江航天红林探控有限公司湖北孝感432000 成都智达和创信息科技有限公司成都610095 

基　　金：国家自然科学基金项目(62334003) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2024年第36卷第9期

页      码：94-102页

摘      要：近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。

主 题 词：脉冲功率技术 脉冲功率半导体开关 MOS栅控晶闸管 电压控制 重复脉冲 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.11884/HPLPB202436.240120

馆 藏 号：203138238...