CCD纵向抗晕结构设计与优化

作     者：武利翻 WU Li-fan

作者机构：西安邮电学院陕西西安710121 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2010年第33卷第16期

页      码：172-174页

摘      要：为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的过量载流子越多,对应的抗晕能力越强。得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。

主 题 词：CCD 光晕 纵向抗晕 器件仿真 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 080202[080202] 081001[081001] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2010.16.057

馆 藏 号：203138790...