一种改善IMD3的高线性射频功率放大器

作     者：张超然 杨以俊 孙晓红 ZHANG Chaoran;YANG Yijun;SUN Xiaohong

作者机构：苏州科技大学电子与信息工程学院江苏苏州215009 

基　　金：国家自然科学基金(62104167) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2024年第43卷第7期

页      码：872-877页

摘      要：基于2μm砷化镓异质结双极型晶体管(GaAs HBT)工艺成功设计出了一款工作在2.4 GHz的高线性、高效率的射频功率放大器(RF PA)。针对非线性因素三阶交调失真(IMD3)对电路造成的影响,采用了一种两级功放电路结构,通过对两级偏置中的旁路电路进行调节,得到了两个反相可互消的三阶交调分量,有效地改善了功放非线性指标IMD3的值。对芯片进行测试,所得结果表明:在连续单音信号测试下,功放输出的1 dB压缩点功率(P1dB)为33.3 dBm,功率附加效率(PAE)为58%@33.3 dBm,增益为30.8 dB。在音距为1 MHz的双音信号测试下,三阶交调失真低于-50 dBc@20 dBm,最大三阶输出截断点(OIP3)为47 dBm@23.8 dBm。

主 题 词：三阶交调失真 射频功率放大器 高线性度 异质结双极型晶体管 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2024.1509

馆 藏 号：203138888...