1500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究

作     者：种一宁 李珏 乔明 CHONG Yi-ning;LI Jue;QIAO Ming

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室四川成都611731 电子科技大学广东电子信息工程研究院广东东莞523950 电子科技大学(深圳)高等研究院广东深圳518110 

基　　金：广东省基础与应用基础研究基金(No.2021B1515020031) 国家自然科学基金(No.62174024) 航空科学基金(No.201943080002)~~ 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2024年第52卷第7期

页      码：2271-2278页

摘      要：本文利用半超结结构进行高压超结功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件的设计,基于Sentaurus TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真平台设计超结元胞结构并优化高压超结功率MOS器件的击穿电压与导通电阻,随后探究了寄生电容的特性.最后,基于多次外延工艺自主设计出一款器件结构仿真击穿电压1658 V、工艺仿真击穿电压1598 V、比导通电阻值303 mΩ·cm^(2)的高压超结功率MOS器件,与相同耐压值器件相比,比导通电阻值下降约50%.同时探究了超结掺杂浓度与厚度以及电压支持层掺杂浓度与厚度4个主要结构参数对器件寄生电容特性的影响.

主 题 词：超结VDMOS 元胞 击穿电压 比导通电阻 寄生电容 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.12263/DZXB.20230845

馆 藏 号：203138899...