噪声系数最小1.6 dB有高带外抑制的5～6 GHz射频接收前端芯片

作     者：傅海鹏 程志强 FU Haipeng;CHENG Zhiqiang

作者机构：天津大学微电子学院 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(62074110) 国家重点研发计划资助项目(2018YFB2202500) 

出 版 物：《浙江大学学报(工学版)》 (Journal of Zhejiang University(Engineering Science))

年 卷 期：2024年第58卷第10期

页      码：2192-2198页

摘      要：为了满足射频通信前端接收部分对高线性与带外信号抑制能力的要求，基于130 nm绝缘体上硅工艺设计并实现工作在5～6 GHz的射频接收前端芯片.该前端芯片由带有旁路和带外抑制功能的低噪声放大器（LNA）、射频开关和带隙基准偏置电路等组成.基于共源共栅结构的LNA，在输入匹配中使用LC陷波实现带外抑制；在偏置电路中，使用带隙基准电流源对LNA的偏置进行温度补偿，屏蔽电源纹波影响.对该前端芯片进行流片加工并测试，结果表明，当工作频率为5～6 GHz时，芯片的接收增益为13.4～14.0 dB，输入与输出反射系数均小于-10 dB，频带内的最小噪声系数为1.6 dB，在工作频率内1 dB压缩点的输入功率大于-4 dBm，输入三阶交调点大于+7 dBm.低噪声放大器在整个工作频段内无条件稳定，在2 V供电电压下电路的直流功耗为30 mW，芯片面积为0.56 mm2.

主 题 词：低噪声放大器(LNA) 带外抑制 绝缘体上硅工艺 射频接收前端 有源偏置 

学科分类：080903[080903] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3785/j.issn.1008-973X.2024.10.023

馆 藏 号：203138913...