高导电性PVDF/MWCNTs-AgNWs@MXene双层三维网络的电磁屏蔽复合薄膜的构建

作     者：施鸥玲 谭妍妍 武晓 龙雪彬 秦舒浩 SHI Ouling;TAN Yanyan;WU Xiao;LONG Xuebin;QIN Shuhao

作者机构：国家复合改性聚合物材料工程技术研究中心贵阳550014 贵州民族大学化学工程学院贵阳550025 

基　　金：黔科合服企001 黔科合中引地035 观科合同02 

出 版 物：《复合材料学报》 (Acta Materiae Compositae Sinica)

年 卷 期：2024年第41卷第8期

页      码：4200-4210页

摘      要：随着通信网络、无线设备及航空航天的快速发展,电磁波危害日益加剧,因而亟需电磁屏蔽性能更优异的复合材料。本文采用MXene(Ti_(3)C_(2)Tx)、银纳米线(AgNWs)和多壁碳纳米管(MWCNTs)构建了双层的高导电三维(导电率最高为1.4×10^(4)S·m^(-1))网络电磁屏蔽复合薄膜(Ti_(3)C_(2)TxMXene基功能复合薄膜)。特别是采取真空辅助抽滤法(VAF)将10 mL AgNWs及15 mL Ti_(3)C_(2)TxMXene的水溶液吸附于聚偏氟乙烯(PVDF)/MWCNTs复合薄膜之上,制备出的Ti_(3)C_(2)TxMXene基功能复合薄膜的总电磁干扰屏蔽效能(EMI SET)高达69.0 dB,比商用标准(20 dB)高出245%,其中吸收损耗效能(SEA)占比85.1%。说明Ti_(3)C_(2)TxMXene基功能复合薄膜主要的电磁损耗机制为吸收损耗,比电磁屏蔽效能(SSE/t)最高可达2719.8 dB/(cm^(-2)·g)。这项工作为新型MXene材料在电磁屏蔽复合材料中的应用提供了结构设计和研究思路。

主 题 词：Ti_(3)C_(2)Tx MXene AgNWs 复合薄膜 电磁屏蔽 吸收损耗 

学科分类：0809[工学-计算机类] 08[工学] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0704[理学-天文学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.13801/j.cnki.fhclxb.20231205.004

馆 藏 号：203138940...