一种低压高精度的CMOS带隙基准电压源

作     者：高国清 冯勇建 Gao Guoqing;Feng Yongjian

作者机构：厦门大学厦门361005 厦门大学厦门361005 

出 版 物：《中国机械工程》 (China Mechanical Engineering)

年 卷 期：2005年第16卷第Z1期

页      码：182-183页

摘      要：采用0.5μm CMOS工艺设计了一种高精度低压基准电压源.提出了一种结构比较新颖的基准电压源电路,该基准电压源电路具有较低的温度系数、较大的温度范围和较高的电源抑制比.此外,还增加了提高电源抑制比电路、启动电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.Spice仿真结果表明:低频时电源抑制比可达70dB;在-40～120℃范围内,输出变化仅为0.004V,温度系数可达25×10-6V/℃;静态功耗小,在电源电压Vdd=3.3V时,总功耗约为0.025mW.

主 题 词：带隙 电源抑制比 温度系数 基准电压源 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.062

馆 藏 号：203139192...