40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器

作     者：李智群 薛兆丰 王志功 冯军 章丽 李伟 Li Zhiqun;Xue Zhaofeng;Wang Zhigong;Feng Jun;Zhang Li;Li Wei

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

基　　金：863计划(2003AA312040)资助项目 

出 版 物：《高技术通讯》 (Chinese High Technology Letters)

年 卷 期：2007年第17卷第6期

页      码：591-594页

摘      要：研制成功一种应用于甚短距离（VSR）光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题。提出了一种同时采用P＋保护环（PGR）、N＋保护环（NGR）和深N阱（DNW）的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声。测试表明,所有信道在3.318Gb/s数据速率、2mVpp输入和2pF的寄生电容下均得到了清晰的眼图。芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W。

主 题 词：并行光接收 前端放大器 RGC结构 衬底噪声耦合 放大器隔离 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1002-0470.2007.06.008

馆 藏 号：203139342...