E 型扩散硅力敏器件的研制

作     者：庞世信 李妍君 乔文华 

作者机构：沈阳仪器仪表工艺研究所 

出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)

年 卷 期：1997年第9期

页      码：34-36页

摘      要：本文阐述了Ｅ型膜片的结构特性，根据其应力分布特点及硅材料在（１１０）晶面的＜１１１＞晶向上具有最大压阻系数，开展了力敏芯片的最佳设计，并进行了Ｅ型力敏器件的制作。最后给出了器件的主要技术指标。

主 题 词：硅 差压 力敏器件 传感器 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0802[工学-机械学] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 

馆 藏 号：203139373...