IR的电池保护MOSFET系列为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2014年第22卷第23期

页      码：167-167页

摘      要：全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道Direct FETMOSFET。 全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20 V和30 V器件,最高栅极驱动从12Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。

主 题 词：IR 国际整流器 高效散热 功率半导体 导通电阻 移动应用 导通损耗 栅极驱动 保护电路 漏极 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203139681...