温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用

作     者：王忆 何乐年 严晓浪 Wang Yi;He Le'nian;Yan Xiaolang

作者机构：浙江大学超大规模集成电路研究所杭州310027 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第9期

页      码：1657-1662页

摘      要：设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源．通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流．利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性，对各支路的镜像电流进行了温度补偿，在-40～130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1．5nA提高到±0．9nA．用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40～130℃范围时减小到4μA．用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计．芯片测试结果验证了以上设计．

主 题 词：30nA 静态电流 寄生二极管 LDO 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.09.029

馆 藏 号：203139923...